正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。
将万用表拨到R×1k档，分别测量A-GA、GA-GK、GK -K之间的正、反向电阻。正向电阻应为几千欧至十几千欧，反向电阻为无穷大，说明PN结具有单向导电性
二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下，导通电阻很大或无穷大。晶体二极管在收音机中对无线电波进行检波，在电源变换电路中把交流电变换成为脉动直流电，在数字电路中充当无触点开关等，都是利用了它的单向导电特性
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道
